IBM și Samsung au creat un nou cip. Acesta ar putea ajuta bateriile telefoanelor să reziste o săptămână

Până acum, tranzistoarele erau așezate plat pe suprafața unui semiconductor. Noul design permite poziționarea lor pe verticală și ar putea înlocui tehnologia actuală FinFET cu cea Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET).

Reclamă

În prezent, unele dintre cele mai avansate cipuri folosesc tehnologia FinFET, scrie The Verge. Tehnologia creată de IBM și Samsung ar putea să o înlocuiască.

Aceasta promite o eficiență mai mare a bateriei telefoanelor, ce ar permite funcționarea lor timp de o săptămână cu o singură încărcare, potrivit companiilor.

IBM și Samsung au creat un nou cip

Noul design permite poziționarea tranzistoarelor pe verticală. Astfel, curentul trece de sus în jos prin ele, în loc să treacă pe orizontală.

Design-ul vertical pentru semiconductoarelor reprezintă o tendință nouă în industria tech. Xiaomi a dezvăluit un design similar pentru baterii recent. Intel e altă companie ce produce acum astfel de cipuri. Inițial, Intel plănuia să așeze vertical diferite componente ale cipurilor, în locul tranzistoarelor.

Reclamă

IBM și Samsung au creat un nou cip cu elemente din această tendință. Va mai dura până când design-ul VTFET va fi integrat în dispozitive ce vor fi lansate pe piață pentru consumatori.

Potrivit companiilor, cipurile VTFET oferă „o îmbunătățire dublă a randamentului sau o reducere de 85% a utilizatorii energiei”, în comparație cu tehnologia FinFET.

IBM și Samsung au creat un nou cip și susțin că acest principiu poate ajuta la dezvoltarea design-ului pe viitor. Acest proces ar presupune creșterea numărului de tranzistoare.

Potrivit companiilor, această tehnologie poate fi folosită în cazul bateriilor de telefon. „Celulele bateriilor de telefon ar putea funcționa mai mult de o săptămână fără să fie încărcate, nu doar zile,” au declarat reprezentanții companiei.

Cum poate fi folosită noua tehnologie creată de IBM și Samsung

Cele două companii susțin că design-ul poate fi integrat nu doar în bateriile telefoanelor mobile. Acest cip ar putea ajuta și în cazul minării criptomonedelor sau criptarea de date. În plus, ar avea utilizări și în domeniul dispozitivelor Internet of Things și în cazul navelor spațiale.

IBM și Samsung au creat un nou cip, dar, la începutul acestui an, IBM a dezvăluit cipul de 2nm. Acesta e bazat pe sistemul FinFET și include mai multe tranzistoare.

Cu avansul VTFET, cipurile ar putea evolua și mai mult. Chiar dacă tehnologia a fost anunțată, e posibil ca introducerea ei în produse ce ajung pe piață să dureze mai mult.

Intel pregătește propriul design, numit RibbonFET. Acesta a fost anunțat în timpul verii și ar fi următorul pas în îmbunătățirea tehnologiei FinFET. Acesta face parte din generația Inter 20A, de semiconductoare.

Acestea vor intra în producție în anul 2024. Intel a anunțat recent și propria tehnologie de cipuri cu tranzistoare poziționate pe verticală. Aceasta va fi un succesor al tehnologiei RibbonFET.

Unele baterii litiu-ion nu mai funcționează la fel de eficient după 1 an de utilizare a telefonului. Experții au dezvăluit recent motivul real din spatele acestui fenomen.